高溫試驗是晶振在高溫條件下工作一段時間后，評定高溫對晶振的電氣和機(jī)械性能的影響；或者長時間高溫存儲(不帶電)后，評定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 360B.108。低溫試驗是長時間低溫存儲(不帶電)后，評定晶振的質(zhì)量穩(wěn)定性，以及檢測封裝中足以對晶振產(chǎn)生不良影響的殘存濕氣，即通常的露點測試，可參照標(biāo)準(zhǔn)GJB 548B.1013.1。

高低溫儲存試驗(High/Low Temperature Storage)暴露的故障來源于元器件表面和內(nèi)部的物理和化學(xué)變化，例如：密封問題，材料熱脹冷縮問題，電性能產(chǎn)生的變化等。

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